特讯热点!三星3D NAND堆叠技术领跑行业,长存美光紧追其后

博主:admin admin 2024-07-04 00:45:39 440 0条评论

三星3D NAND堆叠技术领跑行业,长存美光紧追其后

[美国,加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告,三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位,其平均每单元比特堆叠层数达到了176层,而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出,三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术,例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术,使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外,三星还开发了一种新的3D NAND架构,该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金,并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存,预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一,具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长,3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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正帆科技(688596.SH)慷慨回馈股东 每股派发0.2865元现金红利 股权登记日为6月19日

上海 - 2024年6月14日 - 正帆科技股份有限公司(股票代码:688596.SH)今日宣布公司2023年度利润分配方案获董事会及股东大会审议通过,公司拟向全体股东每10股派发现金红利2.865元(含税),合计派发现金红利80,943,911.73元(含税)。

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正帆科技简介

正帆科技股份有限公司是一家专注于研发、生产、销售高性能电子元器件的现代化高新技术企业。公司产品广泛应用于通信、消费电子、汽车、新能源等领域,拥有良好的市场口碑和品牌知名度。

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